MRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFET
  • MRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFET
  • MRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFET
  • MRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFET

MRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFET

1 заказ
141 руб.

Описание

1. Мы поставляем различные электронные компоненты и приветствуем ваш запрос
2. Восстановление электронных компонентов
3. Искренне надеемся на ваше сотрудничество!
MRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFET
РЧ силовой транзистор
N-Channel enhancation-Mode боковой МОП-транзистор
Предназначен для широкополосного коммерческого и промышленного применения на частотах
До 175 МГц. Высокая усиление и широкополосная производительность этого устройства
Делает его идеальным для больших-сигнал, общий источник дополнения к усилителю в 7,5 вольт
Портативный радиоприемник FM оборудования.
• Указанная производительность при 175 МГц, 7,5 вольт
Выходная мощность-8 Вт
Усиление мощности-13 дБ
Эффективность-70%
• Возможность обработки 20:1 VSWR, @ 9,5 Vdc,
175 МГц, 2 дБ Overdrive
Особенности
• Отличное качество Термальность стабильности
• Отличается серийным эквивалентным большим сигналом
Сопротивление параметры
• Суффикс не содержит свинца. По ограничению на использование опасных материалов в производстве, отвечающих требованиям.
• В ленте и катушке. T1 суффикс = 1000 единиц в 12 мм,
7 дюймов; позволяет с легкостью крутить катушку.
MRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFETMRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFETMRF1511NT1 MRF1511T1 M1511 1511N 1511 РЧ силовое поле эффект транзистор 175 МГц 8 Вт 7,5 в боковой NCHANNEL широкополосный RF POWER MOSFET

Характеристики

Номер модели
MRF1511